硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數器件都采取體硅cmos工藝（硅的原資料是沙子）制作，但有一個部門卻難以實現，那就是射頻前端。目前射頻前端重要采取gaas或sige工藝制作，但因為資料的稀缺性跟接近傳感器工藝的龐雜性，射頻前端芯片（rfeic）良率不高，成本太貴。這妨礙了物聯網（iot）傳感器節點（單價應低于1美元）的遍及。
rfaxis是一家專一于射頻前端設計的公司，該公司解決了以尺度cmos工藝出產rfeic的困難。rfaxis公司產品營銷和客戶利用工程總監虞強博鹵素燈士表現，以往有良多對于用cmos技巧設計制造射頻前真個論文，然而真正實現起來卻有很大難度：1.cmos的擊穿電壓較低，難以做到大功率；2.截止頻率低即惰性強，要接觸器進步功率需選用較厚材料，然而卻會增添惰性；3.電導率低，難以把直流轉換成射頻信號，這又關涉到轉換效力（功耗）跟增益問題。
rfaxis射頻衰減器寰球銷售副總裁raymond biagan先容道，rfaxis生產的rfeic是高集成度的單芯片、單裸片解決計劃。與傳統采用分破器件或前端模塊（fem）所開發的rf前端比擬，rfaxis cmos工藝器件豈但大幅下降了成本，體系龐雜度及噪聲也同時減少。
射頻前真個重要功效是連吸收發器和天線，用以增大輸出功率，進步接受敏銳度，增長傳輸速率和間隔。傳統的rfic由獨立的pa（功率放大器）、lna（低噪聲放大器）、開關（sw）和分破器件所組成，采用gaas或sic工藝將其聯合在一個模塊里。另外，其集成度遠低于純cmos工藝產品。
gaas或sic工藝產品無奈做到高集成度，通常在一個緊急出口標志芯片內包括兩個以上裸片，而后通過引線鍵合銜接在一起。而rfaxis的芯片則是完整由一個單裸片所組成，而且這樣性能也得到更加優化。
rfaxis是獨一一家以純cmos工藝生產rfeic的公司，其產品與競爭對手比擬性能相稱。而且由于是采用純cmos工藝出產，所以無論是工藝仍是交貨周期都優于gaas工藝。
在全部半導體行業中，gaas及sige相對cmos來講只是十分小的一個局部。gaas及sige是無比稀缺的資源，無線通訊的發展受限于這些資源的稀缺性。這就是為什么最近4g lte市場暴發，然而競爭對手卻無奈及時交貨的起因。
傳統gaas工藝的晶圓采用6英寸工藝，其成本弘遠于1000美元，而rfaxis采用0.18μm的8英寸晶圓的成本卻遠小于1000美元。這也就是說rfaxis的晶圓比競爭對手的面積更大，但是價錢卻更廉價，因而rfaxis單顆裸片成本遠小于gaas工藝。另外，gaas是特別工藝，其良率遠低于cmos工藝。
3：高通xb143參考設計用rfx8050/8051代替了skyworks和rfmd產品。
“咱們的產品的上風是：1.本錢更低；2.集成度更高；3.超出競爭對手的機能；4.更好的esd維護機能，由于cmos工藝的電導性更好，工作溫度也更高；5.外部電路更簡略，更易于開發，體系本錢也更低。”biagan最后總結道。